La RAM de cambio de fase (o PRAM) es una memoria no volátil que no requiere una fuente de energía para almacenar datos. Su principio de funcionamiento consiste en calentar un material especial para cambiarlo entre dos estados físicos diferentes: cristalino y amorfo (vítreo). Tomemos el estado cristalino como 0 y el estado vítreo como 1. Invertir el estado significa que los datos se han escrito. Si lo volteas hacia atrás, los datos se eliminarán.
El arma secreta aquí es el vidrio de calcogenuro. Es una mezcla de elementos de los grupos 15 y 16 de la tabla periódica, incluidos el germanio, el antimonio y el telurio. Cuando se calienta, se produce un cambio de fase. Este no es un concepto nuevo. El mismo método físico se ha utilizado en CD y DVD regrabables durante décadas. Estos discos ópticos “RW” utilizan un láser para fundir o tratar térmicamente el material para formar hoyos y tierras que representan música y películas. La unidad lee los datos de esta manera porque el láser refleja de manera diferente que el cristal brillante y las partes vidriosas opacas.
Un COCHECITO hace lo mismo, pero utiliza electricidad en lugar de luz.
Las células RAM de cambio de fase se ocupan de estructuras a nanoescala. Para escribir datos, el material debe ser bombardeado con pulsos eléctricos cortos y fuertes. Esto calienta y derrite el material rápidamente, luego lo enfría rápidamente y se congela en un estado vítreo y desordenado. Este estado de alta resistencia generalmente representa un 1. Para escribir un cero, se usa un pulso más pequeño y más largo para calentar el material y reorganizar los átomos en una estructura cristalina de baja resistencia. Leerlo es sencillo: basta con aplicar un pequeño voltaje, no suficiente para cambiar el estado, y medir la resistencia. Alta resistencia significa 1, baja resistencia significa 0.
Esta se considera una tecnología sucesora de la memoria flash.
En 1970, tres investigadores, R.G. Neale, D.L. Nelson y Gordon Moore publicaron un artículo en la revista Electronics proponiendo este tipo de memoria semiconductora amorfa. Moore, quien más tarde fundó Intel y nos dio su famosa ley, reconoció esta oportunidad desde el principio. Sin embargo, esta tecnología tardó casi 40 años en madurar hasta el punto de ser comercialmente viable.
A mediados de la década de 2000, grandes actores estaban dando vueltas. Intel, Samsung e IBM han comenzado a mostrar prototipos de PRam. El discurso fue convincente. Samsung afirma que PRAM ofrecía velocidades de escritura treinta veces más rápidas que una memoria flash NAND estándar. También promete una vida útil 10 veces más larga. Con cada ciclo de escritura, la memoria Flash se deteriora a medida que se desgasta la capa de óxido que utiliza para capturar electrones. PRam no utiliza electrones atrapados en un pozo de óxido. Aprovecha los cambios de fase física y es inherentemente más duradero.
En febrero de 2008, Intel y STMicroelectronics aparecieron en los titulares al presentar un dispositivo PRam que puede almacenar cuatro estados por celda. Estas celdas de múltiples niveles son capaces de distinguir no solo ceros y unos binarios, sino también diferentes niveles de resistencia que pueden duplicar o cuadriplicar la densidad de almacenamiento.
A pesar de las exageraciones, el cochecito de bebé nunca se convirtió en la tecnología de almacenamiento dominante que habíamos imaginado. La memoria flash, especialmente NAND, se está volviendo más barata y densa mucho más rápido de lo esperado. DRAM (RAM dinámica)
